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基于超微量天平對(duì)沉積質(zhì)量的精確測(cè)量,制備納尺度的銅薄膜

來(lái)源: 舒勇華 劉崇 王連紅 張俊 瀏覽 726 次 發(fā)布時(shí)間:2024-08-29

摘要: 在稀薄氧壓下,用電子束蒸發(fā)的方法在鋁酸鑭(LaAlO)基片上沉積制備納尺度的銅薄膜。


基于超微量天平對(duì)沉積質(zhì)量的精確測(cè)量,以及ICP-AES對(duì)薄膜中金屬元素的準(zhǔn)確分析,研究了基片溫度和氧分壓對(duì)銅原子在鋁酸鑭基片表面吸附系數(shù)的影響。

銅表面氧化的理論分析和模型

同時(shí),用超微量天平精確測(cè)量沉積薄膜的總質(zhì)量,并用ICP-AES分析薄膜中銅元素的質(zhì)量,進(jìn)而確定了納尺度銅薄膜的氧化程度,通過改變氧分壓和基片溫度,獲得了銅薄膜的氧化程度與氧分壓和基片溫度之間的關(guān)系。


用XRD分析了薄膜結(jié)構(gòu),用SEM觀察了薄膜表面形貌,這些研究結(jié)果為三源共蒸發(fā)原位制備YBCO薄膜中基片溫度和氧分壓的選擇提供了依據(jù)。



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